11月13日，应强磁场中心徐刚教授邀请，清华大学物理系何珂教授为中心师生作了题为“The road to high temperature quantum anomalous Hall effect in magnetic topological insulators”的学术报告。
量子反常霍尔效应通常在低于100mK的极低温下才能被观测到，为了将它实际应用于电子功能材料上，提高实现量子反常霍尔效应的温度至关重要。报告中，何珂老师回顾了近年来探索高温量子反常霍尔效应的进展，并基于对现有实验现象的理解，尤其是最近在磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4中实现的量子反常霍尔效应，详细介绍了如何去设计实现高温反常量子霍尔效应的材料。他讲到，为了在更高温度下实现量子反常霍尔效应，一个简洁有效的方法就是在拓扑绝缘体层中插入铁磁绝缘体薄膜层，根据目前已有的实验结果预测，两层强耦合的磁性原子层嵌套在拓扑绝缘体层内是最佳方案之一，这为量子反常霍尔效应实现温度的提高指明了一条新的道路。
何珂，清华大学物理系教授。2000年于山东大学物理系获得理学学士学位，2006年于中国科学院物理研究所获得博士学位，2006年到2009年在日本东京大学物理系从事博士后研究，2009年到2013年在中国科学院物理研究所工作，2013年9月加入清华大学。主要研究方向为低维拓扑量子材料的分子束外延生长和电子结构调控及其量子效应研究，已发表学术论文50余篇，被引用4000余次。曾获国家杰出青年科学基金、“万人计划”青年拔尖人才、教育部青年长江学者、国家自然科学一等奖等荣誉和奖励。
